SI7415DN_13 datasheet(3/11 Pages) VISHAY

Il numero della parte	SI7415DN

Spiegazioni elettronici	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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Produttore elettronici	VISHAY [Vishay Siliconix]

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S-83043-Rev. E, 22-Dec-08

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si7415DN

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

On-Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

Source-Drain Diode Forward Voltage

0.00

0.04

0.08

0.12

0.16

0.20

04

8

12

16

20

ID - Drain Current (A)

VGS = 4.5 V

VGS = 10 V

0

2

4

6

8

10

048

12

16

VDS = 30 V

ID = 5.7 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

VSD - Source-to-Drain Voltage (V)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

TJ = 150 °C

TJ = 25 °C

20

10

1

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

0

200

400

600

800

1000

1200

0

102030

405060

Crss

Coss

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

VGS = 10 V

ID = 5.7 A

TJ - Junction Temperature (°C)

0.00

0.04

0.08

0.12

0.16

0.20

0

2468

10

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

ID = 5.7 A

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