IRF624PBF datasheet(4/8 Pages) VISHAY

Il numero della parte	IRF624PBF

Spiegazioni elettronici	Power MOSFET

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Produttore elettronici	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 91029

4

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

IRF624, SiHF624

Vishay Siliconix

Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage

Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage

Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area

600

500

400

300

0

100

200

100

101

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

C

iss

C

rss

C

oss

V

GS = 0 V, f = 1 MHz

C

iss = Cgs + Cgd, Cds Shorted

C

rss = Cgd

C

oss = Cds + Cgd

91029_05

QG, Total Gate Charge (nC)

20

16

12

8

0

4

02

14

8

6

4

V

DS = 50 V

V

DS = 125 V

For test circuit

see figure 13

V

DS = 200 V

91029_06

I

D = 4.4 A

12

10

101

100

VSD, Source-to-Drain Voltage (V)

0.4

1.2

1.0

0.8

0.6

25

°C

150

°C

V

GS = 0 V

91029_07

1.4

10 µs

100 µs

1 ms

10 ms

Operation in this area limited

by R

DS(on)

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

T

C = 25 °C

T

J = 150 °C

Single Pulse

102

0.1

2

5

0.1

1

2

5

10

2

5

25

110

25

102

25

103

25

91029_08

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