2SK3046 datasheet(2/3 Pages) PANASONIC

Il numero della parte	2SK3046

Spiegazioni elettronici	Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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Produttore elettronici	PANASONIC [Panasonic Semiconductor]

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Power F-MOS FETs

2SK3046

Area of safe operation (ASO)

PD  Ta

EAS

 T

j

ID  VDS

ID  VGS

Vth  TC

VDS  VGS

RDS(on)  ID

| Yfs |  ID

1

10

100

1000

3

30

300

0.01

0.03

0.1

0.3

1

3

10

30

100

Non repetitive pulse

T

C=25˚C

t=10

µs

100

µs

DC

1ms

10ms

100ms

Drain to source voltage V

DS

(V)

25

175

150

125

50

100

75

0

100

80

60

40

20

Junction temperature T

j

(˚C)

0

160

40

120

80

140

20

100

60

0

60

50

40

30

20

10

(1) T

C=Ta

(2) Without heat sink

(1)

(2)

Ambient temperature Ta (˚C)

0

1020304050

60

0

2

4

6

8

10

12

14

16

50W

V

GS=15V

10V

6V

7V

5.5V

5V

4V

T

C=25˚C

Drain to source voltage V

DS

(V)

012

10

8

26

4

0

2

4

6

8

10

T

C=0˚C

150˚C

100˚C

25˚C

V

DS=25V

Gate to source voltage V

GS

(V)

0

25

50

75

100

125

150

0

1

2

3

4

5

6

V

DS=25V

I

D=1mA

Case temperature T

C

(˚C)

0

5

10

15

20

25

30

0

10

20

30

40

I

D=14A

3.5A

7A

T

C=25˚C

Gate to source voltage V

GS

(V)

010

8

26

4

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

V

GS=10V

T

C=150˚C

100˚C

25˚C

0˚C

Drain current I

D

(A)

010

8

26

4

0

1

2

3

4

5

6

V

DS=25V

T

C=25˚C

Drain current I

D

(A)

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