ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПЗУ
MDA2061/2062
ФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ОПИСАНИЕ.
Операции с памятью
Внутреннее адресное пространство памяти находится в
пределах от адреса #128 до адреса #255. Адреса #4 и #14
выполняют
специальные
функции.
Чтение
и
программирование осуществляется посредством IM-шины.
Чтобы
прочесть
слово
данных,
в
первую
очередь
необходимый
адрес
памяти должен быть введен в
адресный
регистр
памяти.
Это
осуществляется
последовательным введением через 1М-шину адреса #128
(или #132 при задействовании вывода ОРТ при НИЗКОМ
уровне на выводе IMI с последующим введением адреса
памяти (сигнал
IMI равен "I"). Указанная последова-
тельность
действий
образует
одиночную
операцию
обращения посредством IM-шины.
После установки адресного регистра возможно считывание
данных из памяти. Считывание осуществляется передачей
посредством
IM-шины
адреса
#129
(или
#133
при
задействовании вывода ОРТ) при НИЗКОМ уровне на
выводе IMI. Сразу после этого, при ВЫСОКОМ уровне на
выводе
IMI
с
вывода
1Mb
будет
производиться
последовательная
передача
соответствующего
8-
разрядного содержимого памяти.
Перепрограммирование
участка
памяти
(8-разрядного
слова)-происходит в два этапа, которые одинаковы за
исключением ввода слова данных.
Первый этап: в выбранном участке памяти все разряды
устанавливаются в "I";
Второй
этап:
программирование
необходимого
слова
данных
в выбранный участок памяти.
На первом этапе, необходимый адрес памяти вводится так,
как было описано выше при описании процесса чтения
данных. Затем передается через IM-шину адрес #131 (или
#135 при задействовании вывода ОРТ) при НИЗКОМ
уровне на выводе IMI, затем при ВЫСОКОМ уровне на
выводе IMI, передается слово данных 255D, то есть все
разряды устанавливаются в "I". Сразу после этого внутри
микросхемы
начинается
проверка
правильности
программирования, в течение около 16 периодов тактовой
частоты
памяти (1 кГц). В течение этого времени
микросхема находится в состоянии "Занято", все входы
заблокированы от воздействия на программирование за
исключением входа RES. При НИЗКОМ уровне на выводе
RES
прерывается
любая операция программирования,
которая проводится в это время. О состоянии "Занято"
можно запросить. прочитав первый разряд по адресу #14.
ЕДИНИЦА в этом разряде означает, что программирование
еще продолжается. При вводе адреса #14 следует всегда
запрашивать состояние первого разряда.
При чтении ячеек памяти с другими адресами во время
состояния "Занято"
с
выхода IMD будут выдаваться
ошибочные (ложные) данные. Изменение адреса во время
состояния
"Занято"
не
будет
изменять содержимого
адресного регистра памяти. Попытка начать следующую
операцию программирования во время состояния "Занято",
также не будет иметь успеха.
После
перерыва
на
проверку
программирования
нормальная работа может быть возобновлена, например,
выполнением второго шага программирования, то есть
записи
необходимого
8-битового
слова
данных
в
соответствующую ячейку памяти. Если необходимо, можно
перезаписать соответствующий адрес памяти. Также как на
первом
этапе передается адрес #131 (или #135 при
задействовании
вывода
ОРТ),
за
которым
следует
необходимое 8-разрядное слово данных. Потенциал входа
IMI изменяется в той же последовательности, как и
ранее. Микросхема вновь будет проверять правильность
программирования
(сравнения
программной
последовательности), как это было описано выше. После
паузы данные могут быть вновь перепрограммированы.
Резервирование
Микросхема
MDA2061/2062
содержит
схему,
которая
позволяет поменять до двух строк в матрице памяти,
каждая из которых содержит 4 байта памяти, на резервные
строки SR1 и SR2. Подстановка может быть сделана
пользователем.
Чтобы приготовить к работе строку SR1. ячейка памяти с
адресом 192 должна содержать 5 младших значащих
разрядов тех адресов памяти, которые идентифицируют
строку, подлежащую замене. Кроме того. пятый разряд
следует установить равным "О", что означает работу строки
SR1 (См. Рис. 1).
Чтобы подготовить для работы SR2 ячейка памяти с
адресом #160 должна быть установлена аналогично ячейке
#192.
После активизации замена строк выполняется чтением
содержимого ячеек памяти с адресами # 192 и # 160. Это
переносит
информацию из энергонезависимой матрицы
памяти в энергозависимые регистры. Важно запомнить, что
регистры очищаются (разряд 5 устанавливается в "1")
НИЗКИМ уровнем сигнала RES. Поэтому, любые изменения
уровня сигнала RES с НИЗКОГО на ВЫСОКИЙ должны
немедленно сопровождаться чтением
ячеек
памяти с
адресами
#192
и
#160.
что
вызывает
перезапись
информации в регистр.
Строка SR2 может быть заменена на SR1, тогда как стока
SR1 на SR2 - нет. Строки SR1 и SR2 находятся в части
матрицы памяти, которая не защищается сигналом S.
Ячейки
адресов
памяти
#192
и
#160
находятся
в
защищаемой части памяти.
Тестирование
Микросхема MDA2061/2062 содержит схему, предназначен-
ную для обеспечения тестирования различных функций.
Путем программирования данных в ячейке с адресом #4
микросхема переключается в один или большее число
режимов тестирова-
Защищенная матрица
Программируемая матрица памяти имеет защищенную
часть. Ячейки садресами с #128-#134, #160-#166, #192-#198
и #224 - #230 могут программироваться, если сигнал^ имеет
ВЫСОКИЙ уровень. Таким образом эта часть памяти
защищена
от
несанкционированного
перепрограммирования даже, если ложная информация
принимается
через
(М-шину.
Остальная
часть
программируемой матрицы памяти не защище-
227
Italian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
